一般需要考虑几个因素,(不保证完全对)1:导通/截止时间,对于三极管,开关频率极限40KHz,开关管导通时间小于1.5uS,关断时间1uS。(缪的字母不会打,用U代了),MOS管已经达到NS级的时间,150KHz频率以下一般的开关电源都不需要考虑。2:对于耐压,单端电路是最高输入电压值的2倍或以上,半桥或全桥1倍或以上。
2:对于电流(Icm),单端按照平均导通电流的5倍或以上,半桥需要10倍或以上。
当然不是说所有适合以上参数的管子都适合做开关管。
在ORing FET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时 。
相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例,在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,ORing FET应用设计人员最关心的是最小传导损耗。
低RDS(ON) 可把BOM及PCB尺寸降至最小
一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON) 参数来定义导通阻抗;对ORing FET应用来说,RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON) 与栅极 (或驱动) 电压 VGS 以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态参数。
选择方法:
1.输入阻抗高。输入阻抗之高,是普通大功率三极管无法比拟。使用MOS管做开关管,其输入阻抗高达100MΩ,这对激励信号不会产生压降,只要有一点电压就可驱动。
2.开关速度快。开关速度在10~100ns,工作频率高达100kHz以上。普通三极管由于载流子的存储效应,其开关总会存在滞后现象,进而影响开关速度。
3.不存在二次击穿。