(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空,会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。 (三)TTL电平标准 输出 L: 2.4V。 输入 L: 2.0V TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。 CMOS电平: 输出 L: 0.9*Vcc。 输入 L: 0.7*Vcc. 一般单片机、DSP、FPGA他们之间管教能否直接相连. 一般情况下,同电压的是可以的,不过最好是要好好查查技术手册上的VIL,VIH,VOL,VOH的值,看是否能够匹配(VOL要小于VIL,VOH要大于VIH,是指一个连接当中的)。有些在一般应用中没有问题,但是参数上就是有点不够匹配,在某些情况下可能就不够稳定,或者不同批次的器件就不能运行
TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比,是较大的,约为数十毫瓦(mw)而后者仅约为几十纳(10-9)瓦;在输出电位发生跳变时(由低到高或由高到低),TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流,引起较大的动态功耗。
速度
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大,工作速度越低。管子的开关时间越长,门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”,做为器件性能的一个重要指标,其值越小,表明器件的性能越 好(一般约为几十皮(10-12)焦耳)。与TTL门电路的情况不同,影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部,即负载电容CL。CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
TTL:Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路
CMOS:就是用场效应管来做电路啊。
现在用的多的是CMOS,功耗低。TTL主要是速度快吧