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你好，  目前，制备高密度SiC陶瓷的方法主要有无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结等。通过无压烧结工艺可以制备出复杂形状和大尺寸的SiC部件，因此，被认为是SiC陶瓷的最有的前途的烧结方法。采用热压烧结工艺只能制备简单形状的SiC部件，而且一次热烧结过程所制备的产品数量很小，因而，不利于商业化生产。尽管热等静压工艺可以获得复杂形状的SiC制品，但必须对素坯进行包封，所以，也很难实现工业化生产。通过反应烧结工艺可以制备出复杂形状的SiC部件，而且其烧结温度较低，但是，反应烧结SiC陶瓷的高温性能较差。表1给出了无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结中SiC陶瓷的某些性能。显然，SiC陶瓷的性能因烧结法的不同而不同。一般来说，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC，但逊色于热压烧结和热等静压烧结的SiC。

碳化硅陶瓷烧结工艺：1.  碳化硅陶瓷用碳化硅粉，用粉末冶金法经反应烧结或热压烧结工艺制成。碳化硅陶瓷最大特点高温强度大、热稳定性好、耐磨抗蠕变性好。2.适用于浇注金属用喉嘴、热电偶套管、燃气轮机叶片、轴承等零件。同时由于它热传导能力高。