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真空镀膜原理是膜体在高温下蒸发落在工件表面结晶。由于空气对蒸发的膜体分子会产生阻力造成碰撞使结晶体变得粗糙无光，所以必须在高真空下才能使结晶体细密光亮，果如真空度不高结晶体就会失去光泽结合力也很差。早期真空镀膜是依靠蒸发体自然散射，结合差工效低光泽差。现在加上中频磁控溅射靶用磁控射靶将膜体的蒸发分子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜，解决了过去自然蒸发无法加工的膜体品种，如镀钛镀锆等等。

真空镀膜工作原理是膜体在高温下蒸发落在工件表面结晶。由于空气对蒸发的膜体分子会产生阻力造成碰撞使结晶体变得粗糙无光，所以必须在高真空下才能使结晶体细密光亮，果如真空度不高结晶体就会失去光泽结合力也很差。早期真空镀膜是依靠蒸发体自然散射，结合差工效低光泽差。现在加上中频磁控溅射靶用磁控射靶将膜体的蒸发分子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜，解决了过去自然蒸发无法加工的膜体品种，如镀钛镀锆等等。
目前真空管膜层普遍采用铝氮复合膜，整个膜层分内、中、外三层，各有其作用，内层为反射层，主要作用是阻止管中热水的热量向外辐射；中层为吸收层，主要作用是吸收光能，并转化成热能；外层为减反层，主要作用是减少阳光的反射，增加阳光的吸收率。

真空管镀膜的原理是：真空管膜层普遍采用铝氮复合膜，整个膜层分内、中、外三层，各有其作用，内层为反射层，主要作用是阻止管中热水的热量向外辐射；中层为吸收层，主要作用是吸收光能，并转化成热能；外层为减反层，主要作用是减少阳光的反射，增加阳光的吸收率。

通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。  蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

真空管镀膜的原理是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。