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结型场效应管是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的衬底上表面形成一层反型的积累层，该积累层即为沟道，电流通过沟道流过

mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。结型场效应管在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效应管

结型场效应管是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的衬底上表面形成一层反型的积累层，该积累层即为沟道，电流通过沟道流过

场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。