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答：快恢复二极管： 可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管。 二极管是单PN结半导体器件，具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转，二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成，这段时间称为反向恢复时间。 根据芯片工艺不同，反向恢复时间也不同，通常分为四大类： 1、普通整流二极管，反向恢复时间大于 500nS（纳秒）； 2、快恢复整流二极管，反向恢复时间 150-500nS（纳秒）； 3、高效率整流二极管，反向恢复时间 50-100nS（纳秒）； 4、超快速整流二极管，反向恢复时间 15-35nS（纳秒）； 5、肖特基整流二极管，理论上无反向恢复时间，实际小于 10nS（纳秒）。

答：快恢复二极管： 可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变电路做续流、反压吸收二极管。 二极管是单PN结半导体器件，具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转，二极管从正向导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成，这段时间称为反向恢复时间。 根据芯片工艺不同，反向恢复时间也不同，通常分为四大类： 1、普通整流二极管，反向恢复时间大于 500nS（纳秒）； 2、快恢复整流二极管，反向恢复时间 150-500nS（纳秒）； 3、高效率整流二极管，反向恢复时间 50-100nS（纳秒）； 4、超快速整流二极管，反向恢复时间 15-35nS（纳秒）； 5、肖特基整流二极管，理论上无反向恢复时间，实际小于 10nS（纳秒）。

肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。  肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--0.5V）、反向恢复时间很短（10-40纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。  这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~！ 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~！电气特性当然都是二极管阿~！ 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管：反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件 超快速二极管的反向恢复特性(图) 摘要：本文简要地介绍了超快速二极的性能管对电力电子电路的影响和现代功率变换对超快速二极管反向恢复特性的要求,超快速二极管的反向恢复参数与使用条件的关系和一些最新超快速二极管的性能。